特許

J-GLOBAL ID：200903032101235305

絶縁膜、その形成方法およびその絶縁膜を用いた半導体装置

発明者： 後藤 真志 ,  澁谷 宗裕 ,  西谷 幹彦
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-167900
公開番号（公開出願番号）：特開2000-357690
出願日： 1999年06月15日
公開日（公表日）： 2000年12月26日
要約：

【要約】【課題】 有機シランガスおよび酸化性ガスを原料としたプラズマCVDにおいて、膜中炭素濃度の低い絶縁膜、その形成方法およびそれを用いた信頼性の高い薄膜トランジスタを提供することを目的とする。【解決手段】 本発明に係わる絶縁膜は有機シランガスおよび酸化性ガスを原料としたプラズマCVD法おいて、有機シランガス/酸化性ガス比が4%以下もしくは基板温度が400°C以上の条件で形成され、その膜中炭素濃度が1×1020atoms/cm3以下であることを特徴とする。また、本発明に係わる半導体装置はそのゲート絶縁膜もしくはその一部が有機シランガスおよび酸化性ガスを原料としたプラズマCVD法で形成され、その膜中炭素濃度が1×1020atoms/cm3以下であることを特徴とする。これにより信頼性の高い半導体装置を形成することが可能となる。

請求項（抜粋）：

少なくとも有機シランガスと酸化性ガスを原料としたプラズマCVD法により形成される絶縁膜であって、その膜中の炭素濃度が1020atoms/cm3以下であることを特徴とする絶縁膜。

IPC (5件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/50 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/316 X ,  C23C 16/50 ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 617 T ,  H01L 29/78 617 V

Fターム (33件)：

4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA14 ,  4K030BA27 ,  4K030BA44 ,  4K030CA01 ,  4K030CA06 ,  4K030FA01 ,  4K030JA06 ,  4K030JA10 ,  4K030KA41 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  4K030LA18 ,  5F040DA00 ,  5F040EA00 ,  5F040EB12 ,  5F058BA01 ,  5F058BA20 ,  5F058BB04 ,  5F058BB07 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF25 ,  5F058BF29 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ10 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110DD02 ,  5F110FF01 ,  5F110FF30

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-256969   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-094796   出願人：株式会社リコー
• プラズマCVD絶縁膜およびその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-216286   出願人：日本電気株式会社