半導体力学量センサ及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤強
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-112288
公開番号（公開出願番号）：特開2000-304764
出願日： 1999年04月20日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：

【要約】【課題】簡単な構成で、センサチップの力学量検出部に対するダストの侵入を効果的に防止する。【解決手段】微細構造の加速度検出部8を有するセンサチップ2を、信号処理回路を有する信号処理チップ3のマウント領域に搭載し、接着シート16により接着する。センサチップ2の電極パッド9,10と、信号処理チップ3の電極パッド14,15との電気的接続を、フィルムキャリアテープ4のテープリード17,18により行なう。このとき、フィルムキャリアテープ4に、加速度検出部8の上面部を覆うカバー部4bを設ける。加速度検出部8を窪んだ形態に設け、フィルムキャリアテープ4との間に所要量のクリアランスを確保する。

請求項（抜粋）：

微細構造の力学量検出部及び接続用の電極部を有するセンサチップと、このセンサチップが搭載されるマウント領域及び前記電極部と電気的接続が行なわれる電極パッドを有し前記力学量検出部からの信号を処理する信号処理チップとを備える半導体力学量センサにおいて、前記センサチップと信号処理チップとの電気的接続を、両端部が前記電極部と電極パッドとに夫々接続されるテープリードを有するフィルムキャリアテープにより行なう構成とすると共に、このフィルムキャリアテープにより前記センサチップの力学量検出部の上面部を覆うようにしたことを特徴とする半導体力学量センサ。

IPC (3件)：

G01P 15/08 , G01P 15/125 , H01L 29/84

FI (3件)：

G01P 15/08 P , G01P 15/125 , H01L 29/84 Z

Fターム (11件)：

4M112AA02 , 4M112AA03 , 4M112BA07 , 4M112CA24 , 4M112CA29 , 4M112CA33 , 4M112CA35 , 4M112DA18 , 4M112EA03 , 4M112FA20 , 4M112GA01

引用特許：

審査官引用 (6件)

小型電子部品
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-176728 出願人：株式会社村田製作所
特開平2-172246
半導体力学センサ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-246357 出願人：日本電装株式会社

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