特許

J-GLOBAL ID：200903032140504755

窒化ガリウム系発光素子

発明者： 酒井 士郎 ,  イーヴ ラクロワ
出願人/特許権者： 酒井 士郎 ,  ナイトライド・セミコンダクター株式会社
代理人 (1件)： 吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-206718
公開番号（公開出願番号）：特開2003-023178
出願日： 2001年07月06日
公開日（公表日）： 2003年01月24日
要約：

【要約】【課題】 GaN系発光素子の発光効率を向上させる。【解決手段】 基板10上にn型GaN層12、n型SLS層14、発光層16、p型SLS層17、p型GaN層18、p型電極パッド20、n型電極パッド22、透明電極24を形成する。発光層16からの波長360nm以下の光はp型電極パッド20で遮蔽され、n型GaN層12で吸収される。p型メサ領域の面積を1mm2以上とすることで、コスト増を招くことなく光取り出し効率を上げることができる。

請求項（抜粋）：

基板上にGaN層及びGaN系発光層を備え、前記GaN系発光層上の少なくとも一部に電極パッドを有する窒化ガリウム系発光素子であって、前記GaN系発光層の領域面積が1mm2以上であることを特徴とする窒化ガリウム系発光素子。

Fターム (12件)：

5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA76 ,  5F041CA83 ,  5F041CA88 ,  5F041CA93 ,  5F041CB05

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-340059   出願人：三洋電機株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-071364   出願人：株式会社ジャパンエナジー
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-342705   出願人：豊田合成株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-077817   出願人：ローム株式会社