特許
J-GLOBAL ID：200903034580719519

窒化ガリウム系化合物半導体結晶の製造方法

発明者：
関 洋二

関 洋二 について


出願人/特許権者：
株式会社ジャパンエナジー

株式会社ジャパンエナジー について


代理人 (1件)： 荒船 博司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-071364
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269143
出願日： 1999年03月17日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：
【要約】【課題】 成長終了後の冷却時に基板やエピタキシャル層の破壊を防止することのでき、エピタキシャル層の形状を保ったまま基板から剥離することのできる窒化ガリウム系化合物半導体単結晶の製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】 単結晶基板(例えば、NdGaO3単結晶基板)上に窒化ガリウム系化合物半導体(例えば、GaN)の結晶をエピタキシャル成長させた後、降温速度を毎分5°C以下、好ましくは毎分2°C以下(例えば毎分1.3°C)の条件で冷却するようにした。
請求項（抜粋）：
単結晶基板上に窒化ガリウム系化合物半導体の結晶をエピタキシャル成長させた後、降温速度を毎分5°C以下、好ましくは毎分2°C以下の条件で冷却するようにしたことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体結晶の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (2件)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C
Fターム (20件)：
5F041AA40 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA64 ,  5F041CA77 ,  5F045AB14 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AC15 ,  5F045AD10 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM