半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-096470
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283521
出願日： 1996年04月18日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：

【要約】【課題】高い半導体素子集積度を実現し且つ設計通りの電気特性を得られるようにする。【解決手段】半導体基板11の上に、回路の電気特性が寄生容量の増加に対して変化をしにくいデジタル回路領域Aと、回路の電気特性が寄生容量の増加に対して変化をしやすいアナログ回路領域Bとを設ける。半導体基板11の上に絶縁膜12を介して、デジタル回路領域Aには第1層の第1の配線パターン13A及び第1層の第1の配線パターン13Aとは電気的に絶縁された第1層のダミーパターン14が形成され、アナログ回路領域Bには第1層の第2の配線パターン13Bが形成されている。半導体基板11の上に全面にわたって第1層の各配線パターン13A,13Bと第2層の各配線パターン15A,15Bとを絶縁する第1層の層間絶縁膜16が形成されている。

請求項（抜粋）：

基板上に、集積回路を有する複数層の配線層を備え、前記各配線層は、前記集積回路の電気特性が寄生容量の増加に対して変化をしにくい第1の機能領域と、前記集積回路の電気特性が寄生容量の増加に対して変化をしやすい第2の機能領域とをそれぞれ有しており、前記第1の機能領域には、該第1の機能領域の配線パターンと電気的に絶縁されている疑似配線パターンが設けられていることを特徴とする半導体装置。

FI (2件)：

H01L 21/88 S , H01L 21/88 K

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-213407 出願人：セイコーエプソン株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-150206 出願人：日本電気株式会社
半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-150179 出願人：日本電気株式会社

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