特許
J-GLOBAL ID:200903032195224840

半導体発光装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 秋元 輝雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-260772
公開番号(公開出願番号):特開2007-073825
出願日: 2005年09月08日
公開日(公表日): 2007年03月22日
要約:
【課題】従来、半導体発光素子体と光学レンズとを一体化した半導体発光装置において、外部温度変化に晒されることによって各部材間の接触界面において界面剥離が生じ、光学特性の劣化及び信頼性の低下を招いていた。【解決手段】回路基板1上に凹部5を有するリフレクタ2を配置し、凹部5内に実装された半導体発光素子7を蛍光体含有透光性樹脂9よって樹脂封止して半導体発光素子体17を形成し、前記半導体発光素子体17と光学レンズ14とを軟質樹脂スペーサ16を介して一体化した。そのため、一体化した半導体発光素子体17と光学レンズ14との間に軟質樹脂スペーサ16による熱応力緩和層を備えたことになり、外部温度変化時の熱応力に対して各部材間の界面剥離を阻止し、光取出し効率の高い、高信頼性の半導体発光装置を実現することができた。【選択図】 図3
請求項(抜粋):
少なくとも一方の表面に電極配線が施された回路基板上に、該回路基板面を内底面とする凹部を有するリフレクタが形成され、前記凹部内底面に搭載された少なくとも1個の半導体発光素子が前記凹部内に充填された蛍光体を含有した光透光性樹脂によって樹脂封止され、前記リフレクタと該リフレクタの上方に配置された光学レンズとが透光性軟質樹脂スペーサを挟んで一体化されていることを特徴とする半導体発光装置。
IPC (1件):
H01L 33/00
FI (1件):
H01L33/00 N
Fターム (7件):
5F041AA11 ,  5F041DA12 ,  5F041DA20 ,  5F041DA78 ,  5F041DB09 ,  5F041EE17 ,  5F041EE25
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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