半導体製造装置の温度制御方法および装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-348085
公開番号（公開出願番号）：特開平9-172001
出願日： 1995年12月15日
公開日（公表日）： 1997年06月30日
要約：

【要約】【課題】設定温度の安定性および設定温度への応答性を高めて高品質の製品を得ることのできるウエハの温度制御方法および温度制御装置を提供する。【解決手段】半導体製造装置におけるウエハ10の温度制御を冷媒の流量制御と加熱源7の熱量制御とで行う。

請求項（抜粋）：

チャンバー内でウエハを処理する半導体製造装置における前記ウエハの温度制御を冷媒の流量制御と加熱源の熱量制御とで行うことを特徴とする半導体製造装置の温度制御方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/205 , H01L 21/66

FI (3件)：

H01L 21/302 B , H01L 21/205 , H01L 21/66 T

引用特許：

審査官引用 (3件)

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