文献

J-GLOBAL ID：200902139999249710   整理番号：02A0103276

バルク成長分科会特集 種結晶(核)からの結晶成長制御について 最近のNaフラックスを用いたGaN単結晶育成に関する研究

On the Advanced Control Techniques of Crystal Growth using Seed Crystals or Nuclei. Recent Studies on GaN Single Crystal Growth using a Na Flux.

著者 (3件)： 山根久典 (東北大 多元物質科研) ,  青木真登 (東北大 多元物質科研) ,  島田昌彦 (東北大 多元物質科研)
資料名： 日本結晶成長学会誌  (Journal of the Japanese Association of Crystal Growth)
巻： 28  号： 5  ページ： 316-321  発行年： 2001年12月25日 
JST資料番号： F0452B  ISSN： 0385-6275  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 標記単結晶を育成するためのNaフラックス法に関する研究を総括...

シソーラス用語： *フラックス法 ,...
準シソーラス用語： 板状晶

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=02A0103276&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0452B") }}

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

引用文献 (17件)：

• 1) MONEMAR B. J. Mater. Sci., Mater. Electron.. (1999) vol.10, p.227.
• 2) KRUKOWSKI S. Cryst. Res. Technol.. (1999) vol.34, p.785.
• 3) 井上孝行. 応用物理. (2001) vol.70, p.567.
• 4) PARK S. S. Jpn. J. Appl. Phys. (2000) vol.39, p.L1141.
• 5) MOTOKI K. Jpn. J. Appl. Phys. (2001) vol.40, p.L140.

タイトルに関連する用語 (11件)： バルク ,  成長 ,  分科会 ,  種結晶 ,  核 ,  結晶成長 ,  Na ,  フラックス ,  GaN ,  単結晶育成 ,  研究