特許

J-GLOBAL ID：200903032210152592

半導体装置および電子装置並びにその製造方法

発明者： 岩上 哲一 ,  江森 正臣
出願人/特許権者： ユーディナデバイス株式会社
代理人 (3件)： 片山 修平 ,  横山 照夫 ,  八田 俊之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-054174
公開番号（公開出願番号）：特開2007-234840
出願日： 2006年02月28日
公開日（公表日）： 2007年09月13日
要約：

【課題】パッド電極の容量を低減し、かつ上部パッド層上に接続端子を形成した場合パッド電極と接続端子との密着強度を向上させること。【解決手段】本発明は、半導体基板(10)上に設けられた下部パッド層(20)と、下部パッド層(20)の周囲から離間し、離間した領域の表面に凹部を有する空間を形成して設けられた絶縁層(30)と、下部パッド層(20)および空間を包含し、且つ、絶縁層(30)上に延在して設けられた、下部パッド層(20)よりも大きな面積を有する上部パッド層(40)と、を有することを特徴とする半導体装置および電子装置並びにその製造方法である。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けられた下部パッド層と、 前記下部パッド層の周囲から離間し、当該離間した領域の表面に凹部を有する空間を形成して設けられた絶縁層と、 前記下部パッド層および前記空間を包含し、且つ、前記絶縁層上に延在して設けられた、前記下部パッド層よりも大きな面積を有する上部パッド層と、を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L 21/60

FI (4件)：

H01L21/92 602K ,  H01L21/92 602E ,  H01L21/92 602H ,  H01L21/60 311Q

Fターム (4件)：

5F044QQ02 ,  5F044QQ03 ,  5F044QQ04 ,  5F044QQ05

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 半導体素子およびその製造方法および半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-010217   出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-297370   出願人：三洋電機株式会社
• 特開平3-265140
  
• ボンディングパッド及びその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-301989   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-156066   出願人：シャープ株式会社

審査官引用 (5件)

• 特開平3-265140
  
• ボンディングパッド及びその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-301989   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-297370   出願人：三洋電機株式会社
• 特開平3-265140
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-156066   出願人：シャープ株式会社