電界放射型電子源およびその製造方法およびディスプレイ

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西川惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-325003
公開番号（公開出願番号）：特開2001-155622
出願日： 1999年11月16日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：

【要約】【課題】大面積化および低コストが容易な電界放射型電子源およびその製造方法を提供する。【解決手段】導電性基板たるn形シリコン基板1の表面側に強電界ドリフト層6が形成され、強電界ドリフト層6上に金薄膜よりなる導電性薄膜7が形成されている。n形シリコン基板1の裏面にはオーミック電極2が形成されている。n形シリコン基板1から強電界ドリフト層6に注入された電子は、強電界ドリフト層6内を表面に向かってドリフトし導電性薄膜7をトンネルして放出される。強電界ドリフト層6は、n形シリコン基板1上に形成された多結晶シリコン3の表面側を陽極酸化処理により多孔質化した後、希硝酸によって酸化することにより形成されている。

請求項（抜粋）：

導電性基板と、導電性基板の一表面側に形成された強電界ドリフト層と、該強電界ドリフト層上に形成された導電性薄膜とを備え、導電性薄膜を導電性基板に対して正極として電圧を印加することにより導電性基板から注入された電子が強電界ドリフト層をドリフトし導電性薄膜を通して放出される電界放射型電子源であって、強電界ドリフト層は、多孔質半導体層を比較的低温で酸化する酸化工程を含むプロセスにより形成されてなることを特徴とする電界放射型電子源。

IPC (4件)：

H01J 1/312 , H01J 9/02 , H01J 29/04 , H01J 31/12

FI (4件)：

H01J 9/02 M , H01J 29/04 , H01J 31/12 C , H01J 1/30 M

Fターム (11件)：

5C031DD17 , 5C031DD19 , 5C036EE01 , 5C036EE14 , 5C036EF01 , 5C036EF06 , 5C036EF09 , 5C036EG12 , 5C036EH04 , 5C036EH11 , 5C036EH26

引用特許：

審査官引用 (2件)

電子放出素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-071864 出願人：パイオニア株式会社
ポーラスシリコンの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-178681 出願人：富士通株式会社

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