特許
J-GLOBAL ID:200903032244297867
直流高密度プラズマ源、成膜装置および膜の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
多田 公子
, 宮川 佳三
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-130300
公開番号(公開出願番号):特開2007-305336
出願日: 2006年05月09日
公開日(公表日): 2007年11月22日
要約:
【課題】短時間でアーク放電を生じさせることができるとともに、アーク放電移行後には陰極を保護することができる直流高密度プラズマ源を提供する。【解決手段】中間電極13、14の内部には、電磁石15、16を配置し、陰極11の外周側には永久磁石17を配置する。永久磁石17は軸方向に沿って可動な構成とする。これにより、永久磁石17を中間電極13に近づけて配置することによって、陰極11と中間電極13との間の磁場をゼロにしてプラズマを拡散させ、陰極11を保護することが可能になる。また、永久磁石17を中間電極13から離して配置することにより、陰極11と中間電極13との間の磁場はゼロにならないため、グロー放電時の電離ガスを収束させ、短時間でアーク放電に移行させることができる。【選択図】図3
請求項(抜粋):
軸方向に沿って順に配置された、陰極と、中間電極と、陽極とを有するプラズマ源であって、
前記中間電極の内部には、電磁石が配置され、
前記陰極の外周側には永久磁石が配置され、該永久磁石は前記軸方向に沿って可動であることを特徴とする高密度プラズマ源。
IPC (4件):
H05H 1/50
, H01J 17/40
, C23C 14/32
, C23C 14/24
FI (4件):
H05H1/50
, H01J17/40
, C23C14/32 B
, C23C14/24 F
Fターム (12件):
4K029DD06
, 4K029DE02
, 5C040FA10
, 5C040GB08
, 5C040GB09
, 5C040GH09
, 5C040GJ01
, 5C040JA07
, 5C040JA31
, 5C040MA16
, 5C040MA23
, 5C040MA30
引用特許:
出願人引用 (1件)
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金属薄膜の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-281917
出願人:株式会社ニコン
審査官引用 (4件)