特許
J-GLOBAL ID：200903032278175183

III族窒化物結晶成長方法およびIII族窒化物結晶成長装置

発明者：
皿山 正二

皿山 正二 について


出願人/特許権者：
株式会社リコー

株式会社リコー について


代理人 (1件)： 植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-134171
公開番号（公開出願番号）：特開2002-326898
出願日： 2001年05月01日
公開日（公表日）： 2002年11月12日
要約：
【要約】【課題】 高性能の発光ダイオードやLD等のデバイスを作製するために実用的な大きさで、かつ、低コスト,高品質のIII族窒化物結晶を成長させることの可能なIII族窒化物結晶成長方法およびIII族窒化物結晶成長装置を提供する。【解決手段】 混合融液保持容器102には、III族金属としてのGaとアルカリ金属としてのNaとから構成される混合融液103が収容されている。ここで、Naの純度が99%、Gaの純度が99.9999%、窒素ガスの純度が99.999%、混合融液保持容器102の材質が焼結体のBNの場合には、固体物110は一部に穴111が開いたような形状となる。その穴111を通して窒素が混合融液103中に溶け込むことにより、混合融液103中に、III族窒化物としてのGaNの単結晶109を結晶成長させることができる。
請求項（抜粋）：
所定の容器内において、アルカリ金属と少なくともIII族金属を含む物質との混合融液を形成し、該混合融液と少なくとも窒素を含む物質とから、III族金属と窒素から構成されるIII族窒化物を結晶成長させるIII族窒化物結晶成長方法であって、混合融液の表面を混合融液内に窒素が導入可能な状態にして、III族窒化物を成長させることを特徴とするIII族窒化物結晶成長方法。
IPC (4件)：
C30B 29/38 ,  C30B 9/00 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610
FI (4件)：
C30B 29/38 D ,  C30B 9/00 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610
Fターム (21件)：
4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077CC04 ,  4G077CC06 ,  4G077EA06 ,  4G077EC07 ,  4G077EG02 ,  5F041AA40 ,  5F041AA44 ,  5F041CA40 ,  5F041CA63 ,  5F041FF11 ,  5F041FF13 ,  5F073BA06 ,  5F073BA09 ,  5F073CA01 ,  5F073CB02 ,  5F073DA02 ,  5F073DA04 ,  5F073DA06 ,  5F073DA35
引用特許：
審査官引用 (3件)
引用文献：
審査官引用 (1件)

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