特許
J-GLOBAL ID：200903032285968725

磁性体スパッタリングターゲット及びその製造方法

発明者：
岩邊 洋史

岩邊 洋史 について


出願人/特許権者：
株式会社日鉱マテリアルズ

株式会社日鉱マテリアルズ について


代理人 (1件)： 小越 勇 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-253753
公開番号（公開出願番号）：特開2001-076955
出願日： 1999年09月08日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：
【要約】【課題】 加工による磁気異方性を効果的に減少させ、エロージョン形状の歪みが小さく、かつ安定して製造できる磁性体スパッタリングターゲットおよびその製造方法を得る。【解決手段】 ターゲットのスパッタ面内における初磁化曲線上の最大透磁率、保磁力、角型比のいずれかの磁気特性の最大値と最小値がその中間値の±15%以内とするマグネトロンスパッタリング用磁性体ターゲットおよびその製造方法。
請求項（抜粋）：
ターゲットのスパッタ面内において、初磁化曲線上の最大透磁率、保磁力、角型比のいずれかの磁気特性の最大値と最小値が、その中間値の±15%以内であることを特徴とするマグネトロンスパッタリング用磁性体ターゲット。
IPC (4件)：
H01F 41/18 ,  C23C 14/34 ,  G11B 5/851 ,  B21B 1/42
FI (4件)：
H01F 41/18 ,  C23C 14/34 A ,  G11B 5/851 ,  B21B 1/42
Fターム (21件)：
4E002AA07 ,  4E002AB02 ,  4E002AD02 ,  4E002AD04 ,  4E002BB18 ,  4E002CB01 ,  4K029BC06 ,  4K029BD11 ,  4K029CA05 ,  4K029DC04 ,  4K029DC07 ,  4K029DC08 ,  4K029DC39 ,  5D112AA24 ,  5D112FA04 ,  5D112FB02 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049BA06 ,  5E049BA12 ,  5E049GC02
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (7件)
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