特許

J-GLOBAL ID：200903032286234857

磁気トンネル素子及びその製造方法

発明者： 菅原 淳一 ,  中塩 栄治 ,  熊谷 静似 ,  池田 義人
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-263695
公開番号（公開出願番号）：特開2000-099922
出願日： 1998年09月17日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：

【要約】【課題】 トンネル電流が確実に流れ、安定的な磁気トンネリング効果を発現する。【解決手段】 第1の磁性層と、上記第1の磁性層上に形成され、高周波誘導結合方式により生成された酸素プラズマにより金属膜を酸化させてなるトンネル障壁層と、上記トンネル障壁層上に形成された第2の磁性層とを備えるものである。

請求項（抜粋）：

第1の磁性層と、上記第1の磁性層上に形成され、高周波誘導結合方式により生成された酸素プラズマにより金属膜を酸化させてなるトンネル障壁層と、上記トンネル障壁層上に形成された第2の磁性層とを備えることを特徴とする磁気トンネル素子。

Fターム (3件)：

5D034BA03 ,  5D034BA15 ,  5D034DA07

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 磁気トンネル接合素子、接合メモリ・セル及び接合磁界センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-277156   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 半導体装置、並びに容量素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-349147   出願人：株式会社日立製作所
• シリコン酸化膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-265898   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-025118   出願人：セイコーエプソン株式会社