特許
J-GLOBAL ID:200903032315625909

露光条件監視方法およびその装置並びに半導体デバイスの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 作田 康夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-039444
公開番号(公開出願番号):特開2003-243291
出願日: 2002年02月18日
公開日(公表日): 2003年08月29日
要約:
【要約】【課題】リソグラフィプロセスにおいて、露光条件の変動(露光量と焦点位置のずれ)を正しく監視・制御する手段を提供すること。【解決手段】実効的な露光量が場所ごとに異なるように配置されたレジストの抜きパターンと残しパターンの電子線像のエッジ幅または/およびパターン幅または/およびパターン長を含む寸法特徴量を複数箇所で計測し、予め作成しておいた、種々の露光条件と寸法特徴量とを関連づけるモデルデータに、複数箇所で計測した寸法特徴量を所定の計測誤差を加味して当てはめることによって、露光量と焦点位置の適正値からのずれ量を見積もるとともに、見積もり値のあいまい度を算出する。
請求項(抜粋):
所定の露光条件で露光されて形成された実効的な露光量が場所ごとに異なる形状を有するレジストパターンを電子顕微鏡を用いて撮像して該レジストパターンの電子線象を得該電子線像を用いて前記レジストパターンの特徴的な寸法を前記実効的な露光量が異なる複数の箇所で計測し、予め作成しておいた種々の露光条件と該露光条件のもとで形成されたレジストパターンの特徴的な寸法とを関連づけるモデルデータの情報と前記実効的な露光量が異なる複数箇所で計測した特徴的な寸法の情報とを用いて前記所定の露光条件の露光量と焦点位置の適正値からのずれ量を推定することを特徴とする露光条件監視方法。
IPC (2件):
H01L 21/027 ,  G01B 15/00
FI (3件):
G01B 15/00 B ,  H01L 21/30 516 A ,  H01L 21/30 516 D
Fターム (19件):
2F067AA21 ,  2F067AA26 ,  2F067AA33 ,  2F067BB04 ,  2F067CC00 ,  2F067CC15 ,  2F067HH06 ,  2F067JJ05 ,  2F067KK04 ,  2F067LL00 ,  2F067RR12 ,  2F067RR30 ,  2F067RR35 ,  5F046BA03 ,  5F046DA02 ,  5F046DA13 ,  5F046DA14 ,  5F046DD03 ,  5F046DD06
引用特許:
審査官引用 (4件)
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