特許

J-GLOBAL ID：200903032332808804

半導体装置の製造方法及びメッキ液

発明者： 浜田 政一
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (6件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  原田 智雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-068984
公開番号（公開出願番号）：特開2005-259959
出願日： 2004年03月11日
公開日（公表日）： 2005年09月22日
要約：

【課題】 微細化が進んでも接続不良を来さない埋め込み配線を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 電解メッキによって埋め込み配線を形成する際に、配線材料の金属よりもイオン化傾向の高い金属の濃度を小さくしたメッキ液を用いる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された絶縁膜に溝を形成した後、上記溝内を含む上記絶縁膜上に第1の導電膜を成膜する工程(a)と、 上記第1の導電膜の上に第2の導電膜を成膜する工程(b)と、 第1の金属のイオンを含むメッキ液を用いた電解メッキ法により、上記第2の導電膜の上に、上記第1の金属からなり、上記溝を埋める第3の導体膜を成膜する工程(c)と、 上記第1の導電膜、上記第2の導電膜及び上記第3の導電膜を、上記溝内に設けられた部分を残して除去することにより配線またはコンタクトを形成する工程(d)と を含む半導体装置の製造方法であって、 上記メッキ液には上記第1の金属の析出を抑制する抑制剤と、上記抑制剤の働きを補助する抑制補助剤とが添加され、且つ上記抑制補助剤より低い当量濃度で上記第1の金属よりもイオン化傾向の大きい第2の金属のイオンが含まれている、半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L21/288 ,  C25D3/38 ,  C25D5/34 ,  C25D5/48 ,  C25D7/12 ,  H01L21/768

FI (6件)：

H01L21/288 E ,  C25D3/38 101 ,  C25D5/34 ,  C25D5/48 ,  C25D7/12 ,  H01L21/90 C

Fターム (54件)：

4K023AA19 ,  4K023BA06 ,  4K023CA09 ,  4K023DA07 ,  4K023DA11 ,  4K024AA09 ,  4K024AB02 ,  4K024AB15 ,  4K024BA01 ,  4K024BB12 ,  4K024CA02 ,  4K024CA06 ,  4K024CA10 ,  4K024DB07 ,  4K024GA16 ,  4M104AA01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB08 ,  4M104BB32 ,  4M104BB39 ,  4M104CC01 ,  4M104DD52 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104HH13 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH14 ,  5F033HH15 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033LL02 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033WW04 ,  5F033XX02 ,  5F033XX34

引用特許：

出願人引用 (3件)

• めっき方法及びめっき装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-291835   出願人：株式会社荏原製作所
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-279914   出願人：富士通株式会社
• Cu電解めっき成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-221722   出願人：富士通株式会社