特許
J-GLOBAL ID:200903032394162846
CPP型巨大磁気抵抗効果素子
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
三浦 邦夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-132934
公開番号(公開出願番号):特開2004-335931
出願日: 2003年05月12日
公開日(公表日): 2004年11月25日
要約:
【目的】出力感度及び信頼性を低下させず、且つ、アシンメトリを増大させることなく、単位面積当たりの抵抗変化ΔR・Aを大きくすることができるCPP型巨大磁気抵抗効果素子を得る。【構成】第1固定磁性層41/非磁性中間層42/第2固定磁性層43からなる積層フェリ構造の下部固定磁性層40と、下部非磁性材料層50と、フリー磁性層60と、上部非磁性材料層70と、第2固定磁性層81/非磁性中間層82/第1固定磁性層83からなる積層フェリ構造の上部固定磁性層80とが順に積層されているCPP型巨大磁気抵抗効果素子において、フリー磁性層60及び第2固定磁性層41、82を、NiFeX合金又はNiFeCoX合金を用いて形成する。ただし、Xは、NiFe又はNiFeCoの飽和磁化を減少させる元素である。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
固定磁性層、非磁性材料層及びフリー磁性層を順に積層した多層膜を有し、この多層膜の膜厚方向に電流が流れるCPP型巨大磁気抵抗効果素子において、
前記フリー磁性層は、NiFeX合金又はNiFeCoX合金(ただし、XはNiFe又はNiFeCoの飽和磁化を減少させる元素)を用いて形成されていることを特徴とするCPP型巨大磁気抵抗効果素子。
IPC (4件):
H01L43/08
, G11B5/39
, H01F10/16
, H01F10/32
FI (5件):
H01L43/08 M
, H01L43/08 Z
, G11B5/39
, H01F10/16
, H01F10/32
Fターム (7件):
5D034BA03
, 5E049AA04
, 5E049AA07
, 5E049AB09
, 5E049AC05
, 5E049BA16
, 5E049DB11
引用特許: