光電変換装置及びその作製方法、並びに半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-029867
公開番号（公開出願番号）：特開2006-324634
出願日： 2006年02月07日
公開日（公表日）： 2006年11月30日
要約：

【課題】静電破壊を抑制できる構造を有する光センサを作製することを課題とする。【解決手段】従来、受光領域全体に透明電極を形成してきたが、本発明においては、これを形成せず、光電変換層のp型半導体層及びn型半導体層を電極として用いる。これにより本発明の光センサは、抵抗が高くなり静電破壊が抑制できる。また電極となるp型半導体層とn型半導体層の位置を離すことによっても、抵抗が高くなるので耐圧を向上させることができる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

基板上に、一導電型の第1の半導体層と、第2の半導体層と、前記一導電型とは逆の導電型の第3の半導体層とを有する光電変換層と、前記光電変換層に形成された溝により第1の半導体層に接する第1の電極と、前記光電変換層における前記第3の半導体層に接して形成され、前記第3の半導体層を露出させる溝が形成された絶縁層と、前記絶縁層に形成された溝を介して前記第3の半導体層と接する第2の電極と、を有し、前記光電変換層の、前記第1の電極、前記絶縁層及び前記第2の電極に覆われていない領域は、前記第3の半導体層が除去されていることを特徴とする光電変換装置。

IPC (2件)：

H01L 31/10 , H01L 27/14

FI (3件)：

H01L31/10 A , H01L31/10 H , H01L27/14 K

Fターム (22件)：

4M118AA10 , 4M118AB10 , 4M118BA01 , 4M118CA05 , 4M118CA15 , 4M118CA40 , 4M118CB06 , 4M118HA26 , 4M118HA27 , 5F049MA04 , 5F049MB03 , 5F049NA20 , 5F049NB07 , 5F049PA14 , 5F049QA20 , 5F049SE02 , 5F049SE07 , 5F049SS01 , 5F049SZ06 , 5F049UA17 , 5F049WA03 , 5F049WA09

引用特許：

出願人引用 (10件)

携帯機器
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-250548 出願人：三洋電機株式会社, 三洋テレコミュニケーションズ株式会社
特許第3171808号
特許第3193315号

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審査官引用 (1件)

光電変換装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-329888 出願人：キヤノン株式会社

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