特許

J-GLOBAL ID：200903082188505211

半導体装置及びその作製方法

発明者： 西 和夫 ,  安達 広樹 ,  丸山 純矢 ,  楠本 直人 ,  菅原 裕輔 ,  青木 智幸 ,  杉山 栄二 ,  高橋 寛暢
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-292643
公開番号（公開出願番号）：特開2005-136394
出願日： 2004年10月05日
公開日（公表日）： 2005年05月26日
要約：

【課題】 絶縁性基板上形成される半導体装置、代表的には光センサ、太陽電池、又は薄膜トランジスタを用いた回路において、配線基板への実装強度を向上させることが可能であり、且つ配線基板への高密度搭載が可能な構造の半導体装置及びその作製方法を提案する。【解決手段】 本発明は、絶縁性を有する基板上に半導体素子が形成された半導体装置であって、該半導体装置の側面に凹部を有し、該凹部において、前記半導体素子と電気的に接続されている導電膜が形成されていることを特徴とする半導体装置である。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

凹部を側面に有する半導体装置であって、 前記半導体装置は、絶縁性を有する基板上に形成される半導体素子、及び前記半導体素子と電気的に接続される導電膜を有し、前記導電膜は、前記凹部に形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L23/12 ,  H01L21/28 ,  H01L31/10

FI (3件)：

H01L23/12 L ,  H01L21/28 301R ,  H01L31/10 A

Fターム (26件)：

4M104AA01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104GG05 ,  5F049MA04 ,  5F049MB05 ,  5F049NA19 ,  5F049NB07 ,  5F049SE04 ,  5F049SE15 ,  5F049SS01 ,  5F049SZ20 ,  5F049TA20 ,  5F049UA13

引用特許：

出願人引用 (7件)

• 携帯機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-250548   出願人：三洋電機株式会社, 三洋テレコミュニケーションズ株式会社
• 光電変換装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-045077   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所, ティーディーケイ株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-242605   出願人：シャープ株式会社
• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-317139   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-201661   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• ICパッケージ、光センサICパッケージおよびこれらの組立方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-228079   出願人：キヤノン株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-123008   出願人：ローム株式会社

審査官引用 (3件)

• 光電変換装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-045077   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所, ティーディーケイ株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-242605   出願人：シャープ株式会社
• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-317139   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所