プロセス装置の制御システムおよび制御方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-143636
公開番号（公開出願番号）：特開2005-277361
出願日： 2004年05月13日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：

【課題】係員による品質チェックや判断を要することなく、設計仕様を十分に満たす適正な加工形状が得られる信頼性にすぐれたプロセス装置の制御システムおよび制御方法を提供する。【解決手段】被加工物に対する複数の工程のうち、所定の工程における処理状態または当該プラズマ装置の状態をモニタする。このモニタ結果に応じて、上記所定の工程における被加工物の形状をシミュレーションし、このシミュレーションされた形状と予め定められている標準形状とのずれを検出する。そして、上記所定の工程に続く工程に対し、上記検出されたずれを補償するための処理条件を設定する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

被加工物に対する複数の工程を順次に実行するプロセス装置において、前記各工程のうち所定の工程の処理状態または当該プラズマ装置の状態をモニタするモニタ手段と、前記モニタ手段のモニタ結果に応じて、前記所定の工程における前記被加工物の形状をシミュレーションするシミュレーション手段と、前記シミュレーション手段でシミュレーションされた形状と予め定められている標準形状とのずれを検出する検出手段と、前記所定の工程に続く工程に対し、前記検出手段で検出されたずれを補償するための処理条件を設定する設定手段と、を備えたことを特徴とするプロセス装置の制御システム。

IPC (3件)：

H01L21/3065 , H01L21/00 , H01L21/02

FI (3件)：

H01L21/302 101G , H01L21/00 , H01L21/02 Z

Fターム (8件)：

5F004AA16 , 5F004BA20 , 5F004BD04 , 5F004DB02 , 5F004DB07 , 5F004DB17 , 5F004EA07 , 5F004EB02

引用特許：

出願人引用 (1件)

特開2001-392565号公報

審査官引用 (4件)

形状シミュレーション方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-328640 出願人：日本電気株式会社
プラズマ処理装置および処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-198830 出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立ハイテクノロジーズ
半導体プロセスシミュレーション方法および半導体プロセスシミュレーション装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-282213 出願人：株式会社リコー

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