特許
J-GLOBAL ID：200903032419662822
半導体圧力センサ
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
曾我 道照
, 曾我 道治
, 古川 秀利
, 鈴木 憲七
, 梶並 順
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-157154
公開番号（公開出願番号）：特開2006-329929
出願日： 2005年05月30日
公開日（公表日）： 2006年12月07日
要約：
【課題】被測定流体中の荷電物や外来からの電界に対して影響を受けず、感度及び正確性が確保される。【解決手段】この発明に係る半導体圧力センサは、被測定流体の圧力に応動するダイアフラム4を備えた半導体圧力センサにおいて、ダイアフラム4は、ブリッジ回路を構成するピエゾ抵抗素子7が埋設されたシリコン基板6と、被測定流体が接触する側のシリコン基板6の面に形成された電磁シールド用のシールド膜9とを備え、シールド膜9は、シリコン基板6と電気的に接続されて同電位である。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
被測定流体の圧力に応動するダイアフラムを備えた半導体圧力センサにおいて、
前記ダイアフラムは、ブリッジ回路を構成するピエゾ抵抗素子が埋設されたシリコン基板と、前記被測定流体が接触する側の前記シリコン基板の面に形成された電磁シールド用のシールド膜とを備え、
前記シールド膜は、前記シリコン基板と電気的に接続されて同電位であることを特徴とする半導体圧力センサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01L9/00 303Q
, H01L29/84 B
2F055AA40
, 2F055BB20
, 2F055CC02
, 2F055DD05
, 2F055EE14
, 2F055FF11
, 2F055FF38
, 2F055GG15
, 4M112AA01
, 4M112BA01
, 4M112CA01
, 4M112CA03
, 4M112CA04
, 4M112CA07
, 4M112EA04
, 4M112EA06
, 4M112EA07
, 4M112EA11
, 4M112FA20
出願人引用 (2件)
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特開昭63-250865号公報(第13図)
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半導体圧力センサ及びその製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-085641
出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立カーエンジニアリング
審査官引用 (3件)
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歪み検出センサ
公報種別：公開公報
出願番号：特願平11-026019
出願人：株式会社日立製作所
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特開平4-262578
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回路基板のシールド装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平7-057029
出願人：株式会社東芝, 東芝エー・ブイ・イー株式会社
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