特許
J-GLOBAL ID：200903032450879694

半導体装置およびそれを用いた半導体モジュール、ならびに半導体装置の製造方法

発明者：
松井 聡

松井 聡 について


出願人/特許権者：
NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-349688
公開番号（公開出願番号）：特開2006-165025
出願日： 2004年12月02日
公開日（公表日）： 2006年06月22日
要約：
【課題】 基板水平面内における貫通電極の配置密度を向上させる。【解決手段】 シリコン基板101を貫通する貫通孔103を設ける。貫通孔103に絶縁膜105を埋設する。絶縁膜105中に、複数の柱状の貫通プラグ107を設ける。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板と、 前記半導体基板を貫通する貫通孔と、 前記貫通孔に埋設された絶縁膜と、 前記絶縁膜中に設けられた複数の柱状の導電プラグと、 を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 23/52 ,  H01L 21/320 ,  H01L 25/18 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/065
FI (2件)：
H01L21/88 J ,  H01L25/08 Z
Fターム (25件)：
5F033JJ04 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033MM30 ,  5F033NN33 ,  5F033NN34 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ07 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ47 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR09 ,  5F033RR22 ,  5F033RR27 ,  5F033SS21 ,  5F033TT07 ,  5F033VV07
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)

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