半導体デバイスの製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：國分孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-190672
公開番号（公開出願番号）：特開2009-032708
出願日： 2007年07月23日
公開日（公表日）： 2009年02月12日
要約：

【課題】低誘電率材料からなる層間絶縁膜の特性を回復することにより、層間絶縁膜中に形成される配線の信号伝達速度の遅延特性やリーク電流特性を向上させる半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板上に低誘電率材料からなる絶縁膜17を堆積し、RIEにより配線溝を形成する。この絶縁膜に真空中でUV照射を行い、エッチングにより生じたダメージ層を回復し、誘電率と屈折率を下げる。この溝に拡散防止膜19aとCuを埋め込み、配線とする。【選択図】図10

請求項（抜粋）：

半導体基板上に第一の絶縁膜を堆積する工程と、前記第一の絶縁膜の一部をエッチングする工程と、次いで、前記第一の絶縁膜にUV照射を行う工程と、を有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 , H01L 23/522

FI (2件)：

H01L21/90 J , H01L21/90 A

Fターム (65件)：

5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH17 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH25 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ12 , 5F033JJ17 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033JJ34 , 5F033KK01 , 5F033KK11 , 5F033KK12 , 5F033KK17 , 5F033KK18 , 5F033KK19 , 5F033KK21 , 5F033KK25 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033KK34 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033PP26 , 5F033QQ00 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ13 , 5F033QQ21 , 5F033QQ25 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ54 , 5F033QQ74 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR12 , 5F033RR14 , 5F033RR21 , 5F033RR29 , 5F033SS03 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033SS22 , 5F033VV06 , 5F033XX00 , 5F033XX05 , 5F033XX24 , 5F033XX31

引用特許：

出願人引用 (3件)

配線構造、及びその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-236107 出願人：富士通株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-342080 出願人：富士通株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-361741 出願人：富士通株式会社

審査官引用 (4件)

金属間絶縁膜のパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-159291 出願人：三星電子株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-144845 出願人：ソニー株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-406055 出願人：株式会社ルネサステクノロジ

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