特許
J-GLOBAL ID：200903018830347382

半導体装置およびその製造方法

発明者：
内田 陽子

内田 陽子 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-406055
公開番号（公開出願番号）：特開2005-167081
出願日： 2003年12月04日
公開日（公表日）： 2005年06月23日
要約：
【課題】 バリア導体膜と有機絶縁膜との密着性を向上し膜剥がれを防止することができる半導体装置およびその製造技術を提供する。【解決手段】 半導体基板の主面上に窒化シリコン膜16を形成した後、この窒化シリコン膜16上に有機絶縁膜17を形成する。この有機絶縁膜は、酸化シリコン膜より低い誘電率の材料から構成されている。続いて、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を使用して窒化シリコン膜16および有機絶縁膜17に配線溝18を形成する。そして、エキシマランプを使用して有機絶縁膜17に紫外線を照射して酸化膜19を形成する。紫外線の照射は酸素を含有する雰囲気中で行われる。その後、酸化膜19を介した有機絶縁膜17上にバリア導体膜となるタンタル膜を形成する。【選択図】 図9
請求項（抜粋）：
(a)有機絶縁膜と、 (b)前記有機絶縁膜に埋め込むように形成された配線と、 (c)前記配線の側壁部と前記有機絶縁膜の間に形成されたバリア導体膜とを備え、 前記バリア導体膜と前記有機絶縁膜との間には酸化膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L21/768 ,  H01L21/312
FI (2件)：
H01L21/90 A ,  H01L21/312 Z
Fターム (71件)：
5F033HH04 ,  5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH25 ,  5F033HH27 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033HH36 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033JJ36 ,  5F033KK01 ,  5F033KK11 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033KK34 ,  5F033KK36 ,  5F033LL04 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM07 ,  5F033MM10 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033MM15 ,  5F033NN05 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ54 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ65 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ75 ,  5F033QQ76 ,  5F033QQ89 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033SS11 ,  5F033SS22 ,  5F033SS25 ,  5F033SS27 ,  5F033TT08 ,  5F033VV06 ,  5F033WW01 ,  5F033XX14 ,  5F033XX28 ,  5F058AA08 ,  5F058AC10 ,  5F058AF04 ,  5F058AH02
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
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