特許
J-GLOBAL ID：200903032523025613

半導体集積回路および電源回路

発明者：
吉田 信一

吉田 信一 について

, 
工藤 良太郎

工藤 良太郎 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (1件)： 大日方 富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-225165
公開番号（公開出願番号）：特開2004-072829
出願日： 2002年08月01日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：
【課題】信号の電位レベルのシフト量が大きくなった場合でも、回路を構成するMOSトランジスタのゲート酸化膜を厚くすることなく耐圧を図ることのできるレベルシフト回路を備えた半導体集積回路を提供する。【解決手段】低電位の信号(IN11)が入力される回路(M17,M18...)と、高電位の信号OUT11が出力される回路(M11,M12...)との間にドレイン高耐圧MOSFET(M13,M14)を設け、該ドレイン高耐圧MOSFET(M13,M14)に流れる電流により低電位の信号(IN11)と高電位の信号(OUT11)が相関するように構成したものである。また、ドレイン高耐圧MOSFET(M13,M14)に流れる電流を制限する電流制限用MOSFET(M15,M16)を備えた。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1の振幅の信号を、第1の振幅の信号の中心電位と異なる中心電位を有する第2の振幅の信号に変換するレベルシフト回路を備えた半導体集積回路において、 上記レベルシフト回路は、 上記第1の振幅の信号が入力される回路と上記第2の振幅の信号が出力される回路との間に設けられドレインが高耐圧構造に形成されたドレイン高耐圧MOSトランジスタと、 このドレイン高耐圧MOSトランジスタのドレイン・ソース間に流れる電流を制限する電流制限回路とを備えていることを特徴とする半導体集積回路。
IPC (3件)：
H02M3/155 ,  G05F3/26 ,  H03K19/0185
FI (3件)：
H02M3/155 H ,  G05F3/26 ,  H03K19/00 101D
Fターム (29件)：
5H420NA12 ,  5H420NA16 ,  5H420NB02 ,  5H420NB12 ,  5H420NB25 ,  5H420NC02 ,  5H420NC23 ,  5H420NE26 ,  5H420NE28 ,  5H730AA14 ,  5H730AA15 ,  5H730AS01 ,  5H730BB13 ,  5H730DD04 ,  5H730EE08 ,  5H730EE59 ,  5H730FD01 ,  5H730FG05 ,  5J056AA00 ,  5J056AA32 ,  5J056BB14 ,  5J056BB59 ,  5J056CC02 ,  5J056CC21 ,  5J056DD13 ,  5J056DD28 ,  5J056FF08 ,  5J056GG09 ,  5J056KK02
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 負荷駆動回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-115054   出願人：株式会社デンソー
  • 駆動信号供給回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-242003   出願人：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
  • 半導体装置およびその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-231952   出願人：ソニー株式会社
審査官引用 (3件)
  • 負荷駆動回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-115054   出願人：株式会社デンソー
  • 駆動信号供給回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-242003   出願人：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
  • 半導体装置およびその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-231952   出願人：ソニー株式会社

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