特許
J-GLOBAL ID：200903032560577898

積層体の製造方法

発明者：
荒牧 晋司

荒牧 晋司 について

, 
芳山 龍一

芳山 龍一 について


出願人/特許権者：
三菱化学株式会社

三菱化学株式会社 について


代理人 (3件)： 山下 昭彦 ,  岸本 達人 ,  星野 哲郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-011131
公開番号（公開出願番号）：特開2004-247716
出願日： 2004年01月19日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：
【課題】基板上に有機半導体膜を形成する際に、基板の耐熱温度に制限されることなく、有機半導体からなる薄膜の特性改良または有機半導体の前駆体からなる薄膜の有機半導体への変換を可能にし、基板上に良好な有機半導体膜を含む積層体を安価に製造する。【解決手段】基板11上に少なくとも有機半導体またはその前駆体からなる薄膜10を形成した後、活性エネルギー線21を照射し、薄膜10の特性改良または有機半導体12に変換する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板上に少なくとも有機半導体またはその前駆体からなる薄膜を形成した後、活性エネルギー線を照射する工程を含むことを特徴とする積層体の製造方法。
IPC (4件)：
H01L51/00 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786
FI (5件)：
H01L29/28 ,  H01L21/268 F ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 626C
Fターム (43件)：
5F110AA16 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110BB03 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF22 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK08 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN36 ,  5F110QQ06
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 特開昭61-202469号公報
  • 特許第2984370号明細書
  • 薄膜トランジスタ装置とその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-345454   出願人：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
審査官引用 (4件)
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