特許
J-GLOBAL ID：200903032583928485

鉛フリーはんだバンプとその形成法

発明者：
石井 隆生

石井 隆生 について

, 
青山 眞二

青山 眞二 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (1件)： 高山 道夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-221980
公開番号（公開出願番号）：特開2002-043348
出願日： 2000年07月24日
公開日（公表日）： 2002年02月08日
要約：
【要約】【課題】 二元以上の金属からなるはんだ合金を蒸着しても単体金属の蒸気圧が大きく異なるため、もとのはんだ合金と同じ組成の金属薄膜を得ることは非常に困難である。【解決手段】 基板1上に有機レジスト材を塗布してマスク2とし、マスク2をパターンマスク3に形成した。電子ビーム蒸着法によりパターンマスク3上にSn95%:Au5%の組成になるように900nm:28nmを6回繰り替えし約5.5μ膜厚の多層膜4にした。有機溶剤を用いたリフトオフ法によってパターンマスク3を除去し、多層膜4からなる80μmφの微小なはんだバンプ前駆体5を形成し、フラックス液を塗布し、約200°C、10minのアニールにより組成の均一化を行った。さらに、218°Cに温度を上げてリフローを行い微小な鉛フリーはんだバンプ6を形成した。
請求項（抜粋）：
Sn1-xMx(M:Au,Inのうち少なくとも一つ以上を含みかつ0 IPC (6件)：
H01L 21/60 ,  B23K 35/26 310 ,  C22C 13/00 ,  H05K 3/34 505 ,  H05K 3/34 ,  H05K 3/34 512
FI (7件)：
B23K 35/26 310 A ,  C22C 13/00 ,  H05K 3/34 505 A ,  H05K 3/34 505 D ,  H05K 3/34 512 C ,  H01L 21/92 603 B ,  H01L 21/92 604 C
Fターム (9件)：
5E319AA03 ,  5E319AC01 ,  5E319BB01 ,  5E319BB04 ,  5E319BB05 ,  5E319CC33 ,  5E319CD06 ,  5E319CD29 ,  5E319GG01
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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