特許
J-GLOBAL ID：200903032596544821

膜形成用ポリシロキサンの製造方法、膜形成用組成物、膜形成方法および膜

発明者：
秋山 将宏

秋山 将宏 について

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林 英治

林 英治 について

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長谷川 公一

長谷川 公一 について

, 
塩田 淳

塩田 淳 について


出願人/特許権者：
JSR株式会社

JSR株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-220088
公開番号（公開出願番号）：特開2004-059737
出願日： 2002年07月29日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：
【課題】半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、低誘電率かつ高弾性率を有する膜が形成可能な膜組成物に好適なポリシロキサンの製造方法を得る。【解決手段】1)水、塩基性化合物1および有機溶媒からなる混合物に、シラン化合物を連続的または断続的に添加した後、2)さらに塩基性化合物2を添加しシラン化合物を連続的または断続的に添加することを特徴とする膜形成用ポリシロキサンの製造方法。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
1)水、塩基性化合物1および有機溶媒からなる混合物に、シラン化合物を連続的または断続的に添加した後、2)さらに塩基性化合物2を添加しシラン化合物を連続的または断続的に添加することを特徴とする膜形成用ポリシロキサンの製造方法。
IPC (2件)：
C08G77/06 ,  C08G77/18
FI (2件)：
C08G77/06 ,  C08G77/18
Fターム (16件)：
4J035AA01 ,  4J035AA02 ,  4J035AA03 ,  4J035AB03 ,  4J035BA01 ,  4J035BA03 ,  4J035BA06 ,  4J035BA11 ,  4J035BA13 ,  4J035CA022 ,  4J035CA061 ,  4J035CA162 ,  4J035EB03 ,  4J035FB06 ,  4J035LA03 ,  4J035LB01
引用特許：
審査官引用 (5件)
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