特許
J-GLOBAL ID：200903032661073009
ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-079434
公開番号（公開出願番号）：特開平11-282150
出願日： 1998年03月26日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：
【要約】【課題】 露光波長及び検査波長での透過率を容易に制御でき、且つ洗浄工程の耐薬品性を満足するハーフトーンブランク及びその製造法を提供することを目的とする。【解決手段】 SiとZrの2種類のターゲットを用いて、同時に反応性スパッタリングすることでSi及びZrの化合物薄膜を成膜してハーフトーンブランクを得るもので、このとき各々のターゲットに加える電力を制御することで、成膜後のハーフトーンブランク中に含まれるSiやZrの元素組成比を制御する。または、SiとZrを粉末の状態で混ぜた後プレス成形して得た混合物ターゲットを用いて、スパッタリングしてSi及びZrの化合物薄膜を成膜してハーフトーンブランクを得るものである。
請求項（抜粋）：
Si(シリコン)を構成要素として含むハーフトーン型位相シフトブランクにおいて、Si(シリコン)及びZr(ジルコニウム)のターゲットを同時に使用した反応性スパッタリングにより透明性基板上に形成されたZr及びSiの化合物薄膜からなることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
