特許
J-GLOBAL ID：200903032661965627

MEMS素子およびMEMS素子の製造方法

発明者：
稲葉 正吾

稲葉 正吾 について

, 
佐藤 彰

佐藤 彰 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-331437
公開番号（公開出願番号）：特開2006-255879
出願日： 2005年11月16日
公開日（公表日）： 2006年09月28日
要約：
【課題】構造体のリリース工程で配線への損傷を与えることがなく、耐湿性が良好で信頼性の向上した、MEMS素子およびMEMS素子の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板10に可動電極15および固定電極16a,16bから構成される構造体18が形成され、構造体18の周辺部に配線21が層間絶縁膜20,22を介して積層されたMEMS素子1において、構造体18に対向する層間絶縁膜20,22の側壁24,25および層間絶縁膜22の表面にシリコンナイトライド膜30が形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板に配線が層間絶縁膜を介して積層され、前記層間絶縁膜の一部が前記半導体 基板上方まで開口され、この開口部内に構造体が配置されたMEMS素子であって、 前記構造体に対向する前記開口部に露出する前記層間絶縁膜の側壁および前記層間絶縁 膜の最上層表面にシリコンナイトライド膜が形成されたことを特徴とするMEMS素子。
IPC (3件)：
B81B 3/00 ,  B81C 1/00 ,  H01L 29/84
FI (3件)：
B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01L29/84 Z
Fターム (16件)：
4M112AA02 ,  4M112BA07 ,  4M112CA21 ,  4M112CA23 ,  4M112CA24 ,  4M112CA33 ,  4M112DA03 ,  4M112DA04 ,  4M112DA10 ,  4M112DA15 ,  4M112EA04 ,  4M112EA06 ,  4M112EA07 ,  4M112EA11 ,  4M112EA18 ,  4M112FA20
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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