特許
J-GLOBAL ID：200903032684906997
超臨界乾燥装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山川 政樹
, 黒川 弘朗
, 山川 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-376404
公開番号（公開出願番号）：特開2004-207579
出願日： 2002年12月26日
公開日（公表日）： 2004年07月22日
要約：
【課題】超臨界乾燥の工程をより短い時間で通過できるようにする。【解決手段】密閉可能な置換室102,超臨界室103,減圧室104,減圧室105を、密閉された通路161,162,183により連通させ、各処理室にわたって、処理対象のシリコン基板を外部に晒すことなく、置換処理,超臨界処理,減圧乾燥処理を行い、複数のシリコン基板に対して連続して高圧環境による処理を行う。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
内部に処理対象の基板を保持する基板載置台を備えた密閉可能な第1処理室,第2処理室,第3処理室と、
前記第1〜第3処理室を連通する密閉された通路と、
前記第1〜第3処理室の各々と前記通路との間に配置された開閉弁と、
前記通路に配置されて前記第1〜第3処理室の前記基板載置台の上に処理対象の基板を搬入及び搬出する搬送手段と、
前記第1〜第3処理室の各々に大気雰囲気では気体である物質の液体を供給する液体供給手段と、
前記第1〜第3処理室の各々に設けられ各処理室の内部の流体を排出する排出手段と、
前記処理室の内部圧力を前記物質が超臨界状態となり得る圧力の範囲で制御する圧力制御手段と、
前記第1〜第3処理室の内部温度を制御する温度制御手段と
を少なくとも備えたことを特徴とする超臨界乾燥装置。
IPC (3件)：
H01L21/304
, F26B9/06
, F26B21/14
H01L21/304 651Z
, F26B9/06 A
, F26B21/14
3L113AA01
, 3L113BA34
, 3L113DA24
