非晶質炭素系被膜の形成方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：目次誠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-066126
公開番号（公開出願番号）：特開平10-259481
出願日： 1997年03月19日
公開日（公表日）： 1998年09月29日
要約：

【要約】【課題】表面平滑性に優れた非晶質炭素被膜を形成する。【解決手段】基板8上に非晶質炭素系被膜を形成する方法であり、被膜形成前または被膜形成中に、基板8の表面を清浄化するため、イオンガン12からのイオン照射などによって表面清浄化処理を行うことを特徴としている。

請求項（抜粋）：

基板上に非晶質炭素系被膜を形成する方法において、被膜形成前または被膜形成中に、前記基板の表面を清浄化する表面清浄化処理を行うことを特徴とする非晶質炭素系被膜の形成方法。

IPC (5件)：

C23C 16/02 , C01B 31/02 101 , C23C 14/02 , C23C 16/26 , C23G 5/00

FI (5件)：

C23C 16/02 , C01B 31/02 101 Z , C23C 14/02 Z , C23C 16/26 , C23G 5/00

引用特許：

審査官引用 (7件)

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