半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：小川勝男 , 田中恭助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-129233
公開番号（公開出願番号）：特開2005-011490
出願日： 2004年04月26日
公開日（公表日）： 2005年01月13日
要約：

【課題】基板から電子を注入し、ゲート電極側に電子を引き抜く書換え動作を行うメモリセルからなる半導体不揮発性記憶装置、すなわちゲート引抜型の半導体不揮発性記憶装置では、書換え時の最初の処理として消去バイアスを印加すると、過消去状態になるメモリセルが出現し、そのメモリセルの電荷保持特性が劣化するという課題がある。【解決手段】本発明は、消去バイアスを印加する前に、消去単位中にある全てのメモリセルを書込み、その後に消去バイアスを印加する手段を用いた半導体不揮発性記憶装置を提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板の一主面側に所定の間隔を置いて形成されたソース拡散層およびドレイン拡散層と、前記ソース拡散層および前記ドレイン拡散層に挟まれた前記半導体基板の領域上に絶縁膜を介して電荷蓄積膜およびゲート電極が積層されてなるゲート部とからなるメモリセルを有し、前記メモリセルの書換えを行う前に、前記書換えの対象となるメモリセルに書込みを行い、その後に前記メモリセルの消去を行うことを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

G11C16/02 , G11C16/04 , H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792

FI (4件)：

G11C17/00 612C , H01L27/10 434 , H01L29/78 371 , G11C17/00 621Z

Fターム (35件)：

5B125BA01 , 5B125CA17 , 5B125DC09 , 5B125EA02 , 5B125EB02 , 5B125EK01 , 5B125EK02 , 5B125FA01 , 5B125FA02 , 5B125FA05 , 5F083EP18 , 5F083EP22 , 5F083EP48 , 5F083EP77 , 5F083ER02 , 5F083ER09 , 5F083ER17 , 5F083ER21 , 5F083ER22 , 5F083GA17 , 5F083JA04 , 5F083LA03 , 5F083LA04 , 5F083LA05 , 5F083LA10 , 5F083ZA13 , 5F083ZA14 , 5F101BA45 , 5F101BA46 , 5F101BB02 , 5F101BC11 , 5F101BE01 , 5F101BE02 , 5F101BE05 , 5F101BE07

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許第5408115号明細書

審査官引用 (4件)

半導体装置および不揮発性半導体メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-100011 出願人：三洋電機株式会社
不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-184140 出願人：松下電器産業株式会社
特開平2-137196

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