特許
J-GLOBAL ID：200903095331570229

不揮発性多値メモリ装置及びそのデータの消去方法

発明者：
萩原 治夫

萩原 治夫 について

, 
内野 高志

内野 高志 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-300567
公開番号（公開出願番号）：特開平11-134881
出願日： 1997年10月31日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：
【要約】【課題】 不揮発性多値メモリ装置において、消去/書き込み特性を改善する。【解決手段】 不揮発性メモリに対する消去の際、選択されたビットラインを0Vとして、ダミー消去期間にまずソースラインSLに高電圧バイアスVhv2を印加し、ワードラインWLに0Vを印加して、メモリセル60においてコントロールゲートCGからフローティングゲートFGへトンネル電流を流す。その後、消去期間に、ワードラインWLに高電圧バイアスVhv2を印加し、ソースラインSLに0Vを印加して、メモリセル60においてフローティングゲートFGからコントロールゲートCGへトンネル電流を流す。このように消去の際、フローティングゲートFGとコントロールゲートCGとの絶縁膜に双方向のトンネル電流を流すことにより、トラップされた電荷を減少させる。
請求項（抜粋）：
多値情報記憶可能な不揮発性メモリセルと、前記メモリに書き込まれた多値情報を消去する消去回路と、該消去回路の動作より前または後に、メモリセルに対してダミー消去を行うダミー消去回路とを備えることを特徴とする不揮発性多値メモリ装置。
FI (2件)：
G11C 17/00 641 ,  G11C 17/00 612 Z
引用特許：
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM