特許
J-GLOBAL ID：200903032796917908
半導体光素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-114559
公開番号（公開出願番号）：特開平10-308556
出願日： 1997年05月02日
公開日（公表日）： 1998年11月17日
要約：
【要約】【目的】 スポットサイズ変換機能を有する半導体光素子を高精度にかつ再現性よく形成できるようにする。【構成】 n-InP基板1a上に、後方直線部4で一定のマスク幅と一定の開口幅を有し、テーパ部5で光出射側端面に向かってマスク幅と開口幅とが共に漸減し、かつ、前方直線部6で一定のマスク幅と一定の開口幅を有するSiO2 マスク2aを形成し(a)、n-InPクラッド層7a、n側InGaAsP-SCH層8a、MQW層9、p側InGaAsP-SCH層8b、p-InPクラッド層7bを順に成長させる(b)。SiO2 マスク2aを除去し、新たにストライプ上にSiO2 マスク10を形成し、p-InPブロック層11a、n-InPブロック層11bを形成する(c)。SiO2 マスク10を除去し、p-InP埋め込み層12、コンタクト13を形成し、電極14を形成する(d)。
請求項（抜粋）：
半導体層によって構成された光導波路が選択成長によって直接形成された半導体光素子において、前記光導波路はその幅が少なくとも一つの端面に向かって徐々に狭くなっていくテーパ形状部分を有していることを特徴とする半導体光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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