特許

J-GLOBAL ID：200903032800934138

研磨部材、この研磨部材を用いた研磨装置、この研磨装置を用いた半導体デバイス製造方法及びこの半導体デバイス製造方法により製造された半導体デバイス

発明者： 星野 進 ,  菅谷 功
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 大西 正悟
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-177289
公開番号（公開出願番号）：特開2004-022886
出願日： 2002年06月18日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：

【課題】半導体ウエハの表面研磨の平坦性及び均一性に対する要求を充分な精度で満たすことができるとともに製造コストを抑えることができる研磨部材を提供する。【解決手段】研磨対象物である半導体ウエハの被研磨面に当接して研磨を行う研磨パッド41と、前記研磨パッド41を平面状に貼付保持する貼付面42pを有した研磨支持体42とからなる研磨部材4において、前記貼付面42pは、所望の圧縮弾性率を有して構成される。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

研磨対象物の被研磨面に当接して研磨を行う研磨パッドと、前記研磨パッドを平面状に貼付保持する貼付部材を有した研磨支持体とからなる研磨部材において、 前記貼付部材は、所望の圧縮弾性率を有していることを特徴とする研磨部材。

IPC (2件)：

H01L21/304 ,  B24B37/00

FI (2件)：

H01L21/304 622F ,  B24B37/00 C

Fターム (5件)：

3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058CA01 ,  3C058CB01 ,  3C058DA12

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 化学機械的研磨装置、ダマシン配線形成装置及びダマシン配線形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-047140   出願人：住友金属工業株式会社
• 研磨装置および研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-319181   出願人：住友金属工業株式会社
• 半導体デバイスの研磨装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-344494   出願人：日本発条株式会社
• 半導体ウェハの研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-175346   出願人：コマツ電子金属株式会社