特許
J-GLOBAL ID：200903032821880046
ウエハのダイシング方法および半導体チップ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-256171
公開番号（公開出願番号）：特開2009-088252
出願日： 2007年09月28日
公開日（公表日）： 2009年04月23日
要約：
【課題】簡単な方法でダイシング幅を縮小化しスクライブラインの領域を縮小化することによって、ウエハに形成可能な半導体素子の数量を増加させる。【解決手段】表面に複数の素子部が形成されたウエハを、上記複数の素子部の各々の間に設定された分割ラインに沿って分割するウエハのダイシング方法において、上記ウエハの裏面に、該裏面からウエハを貫通しない深さを有する第1の溝を、上記分割ラインに沿って切削加工により形成する第1のステップS12と、上記ウエハの表面に、該表面から上記第1の溝に達するまでの深さを有する第2の溝を、上記分割ラインに沿ってレーザ加工により形成する第2のステップS14と、を含む。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
表面に複数の素子部が形成されたウエハを、上記複数の素子部の各々の間に設定された分割ラインに沿って分割するウエハのダイシング方法において、
上記ウエハの裏面に、該裏面からウエハを貫通しない深さを有する第1の溝を、上記分割ラインに沿って切削加工により形成する第1のステップと、
上記ウエハの表面に、該表面から上記第1の溝に達するまでの深さを有する第2の溝を、上記分割ラインに沿ってレーザ加工により形成する第2のステップと、を含むことを特徴とするウエハのダイシング方法。
IPC (1件)：
FI (3件)：
H01L21/78 Q
, H01L21/78 B
, H01L21/78 L
