特許
J-GLOBAL ID：200903094657679780
サファイア基板のダイシング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
亀谷 美明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-319101
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124151
出願日： 2001年10月17日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】サファイア基板を好適に切断し,チップ数を減らすことなく歩留まりを向上させることの可能な,サファイア基板のダイシング方法を提供すること。【解決手段】 サファイア基板12を切削するサファイア基板12のダイシング方法において,サファイア基板12の表面を切削し,第1の溝40を形成する第1の工程と,サファイア基板12の表面に粘着手段を貼り付ける第2の工程と,サファイア基板12の裏面を切削し,裏面から少なくとも第1の溝40の底部に至る第1の溝40より広く深い第2の溝42を形成する第3の工程とを含むことを特徴とする,サファイア基板12のダイシング方法が提供される。かかる構成により,サファイア基板12の表面の有効面積を確保しつつ,裏面からサファイア基板12を円滑かつ確実に切断でき,切り離しもよい。従って,サファイア基板12のダイシング工程で,チップ数を減らすことなく歩留まりを大幅に向上できる。
請求項（抜粋）：
サファイア基板を切削するサファイア基板のダイシング方法において,サファイア基板の表面を切削し,第1の溝を形成する,第1の工程と,前記サファイア基板の表面に粘着手段を貼り付ける,第2の工程と,前記サファイア基板の裏面を切削し,前記裏面から少なくとも前記第1の溝の底部に至る,前記第1の溝より広く深い第2の溝を形成する,第3の工程と,を含むことを特徴とする,サファイア基板のダイシング方法。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L 33/00 A
, H01L 21/78 L
, H01L 21/78 F
, H01L 21/78 Q
5F041AA41
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA74
, 5F041CA76
