特許
J-GLOBAL ID:200903032872626659
有機半導体薄膜及びこれを用いた有機薄膜トランジスター
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-072856
公開番号(公開出願番号):特開2009-231407
出願日: 2008年03月21日
公開日(公表日): 2009年10月08日
要約:
【課題】分子運動の自由度が保持され、柔軟性を有し、しかも曲げなどの変形に対して優れた安定性を示し、更には、高いキャリア移動度、高いon/off比を示し、基板を曲げた場合でも移動度、on/off比が低下しない、新規な有機半導体薄膜およびこれを用いた有機薄膜トランジスターを提供する。【解決手段】高分子フィルム上に下記一般式(1)で示される液晶化合物を含む液晶性半導体層を設けた有機半導体薄膜。【化1】(式中、R1は炭素数1〜8の直鎖アルキル基を、R2は炭素数1〜8のアルキル基又はアルコキシ基を示す。式中、nは0〜3の整数を示す。) 上記有機半導体薄膜を用いた有機薄膜トランジスター。【選択図】なし
請求項(抜粋):
高分子フィルム上に下記一般式(1)で示される液晶化合物を含む液晶性半導体層を設けた有機半導体薄膜。
IPC (6件):
H01L 51/30
, H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 51/05
, H01L 51/40
, C07D 333/18
FI (7件):
H01L29/28 250H
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 618Z
, H01L29/78 618A
, H01L29/28 100A
, H01L29/28 310J
, C07D333/18
Fターム (22件):
5F110AA01
, 5F110AA05
, 5F110AA28
, 5F110AA30
, 5F110BB01
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110EE02
, 5F110EE43
, 5F110FF01
, 5F110FF05
, 5F110FF27
, 5F110FF36
, 5F110GG05
, 5F110GG06
, 5F110GG28
, 5F110GG29
, 5F110GG42
, 5F110GG57
, 5F110GG58
, 5F110HK02
, 5F110HK32
引用特許:
出願人引用 (1件)
-
スメクティック液晶化合物
公報種別:公開公報
出願番号:特願2006-306942
出願人:独立行政法人産業技術総合研究所
審査官引用 (5件)
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