特許
J-GLOBAL ID：200903032975086849

マイクロ波焼成炉

発明者：
伏島 順一

伏島 順一 について

, 
久松 義博

久松 義博 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (5件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  濱田 百合子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-121376
公開番号（公開出願番号）：特開2005-310382
出願日： 2004年04月16日
公開日（公表日）： 2005年11月04日
要約：
【課題】 低温域昇温及び高温域昇温を、マイクロ波加熱のみで効率良く実現することができ、焼成処理時の被焼成体における温度勾配の発生を効果的に防止することができ、マイクロ波的に安定し、構造の単純化したマイクロ波焼成炉を提供する。【解決手段】 マイクロ波を照射される金属製キャビティと、該キャビティ内に設けられたマイクロ波の吸収特性の低く断熱性の高い断熱材で囲まれた焼成室、及びマイクロ波発生手段とを備えたマイクロ波焼成炉において、前記焼成室には、マイクロ波損失の大きい物質が前記金属製キャビティから、使用されるマイクロ波の波長λに関して1/4λを超える以上の距離を置いてマイクロ波電界の弱い場所に配設されていることを特徴とするマイクロ波焼成炉。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
マイクロ波を照射される金属製キャビティと、該キャビティ内に設けられたマイクロ波の吸収特性の低く断熱性の高い断熱材で囲まれた焼成室、及びマイクロ波発生手段とを備えたマイクロ波焼成炉において、前記焼成室には、マイクロ波損失の大きい物質が前記金属製キャビティから、使用されるマイクロ波の波長λに関して1/4λを超える距離を置いてマイクロ波電界の弱い場所に配設されていることを特徴とするマイクロ波焼成炉。
IPC (5件)：
H05B6/74 ,  F27B17/00 ,  F27D11/12 ,  H05B6/64 ,  H05B6/80
FI (5件)：
H05B6/74 A ,  F27B17/00 C ,  F27D11/12 ,  H05B6/64 D ,  H05B6/80 Z
Fターム (15件)：
3K090AA02 ,  3K090AA04 ,  3K090AB13 ,  3K090BA01 ,  3K090BB01 ,  3K090BB03 ,  3K090EB06 ,  3K090FA03 ,  3K090LA05 ,  3K090PA03 ,  4K063AA06 ,  4K063BA04 ,  4K063CA01 ,  4K063CA08 ,  4K063FA82
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (6件)
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