特許
J-GLOBAL ID：200903032994844622

厚膜用化学増幅型ドライフィルム及び厚膜レジストパターンの製造方法

発明者：
大掛 光明

大掛 光明 について

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鷲尾 泰史

鷲尾 泰史 について

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鵜野 和英

鵜野 和英 について

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斎藤 宏二

斎藤 宏二 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (1件)： 正林 真之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-320889
公開番号（公開出願番号）：特開2008-134474
出願日： 2006年11月28日
公開日（公表日）： 2008年06月12日
要約：
【課題】上面に銅によって形成された部分を有する支持体上においても高感度に良好なレジストパターンを得ることが可能な厚膜用化学増幅型ドライフィルム及び厚膜レジストパターンの製造方法を提供する。【解決手段】膜厚10〜150μmの厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物からなる層の両面に保護膜が形成された厚膜用化学増幅型ドライフィルムであって、(A)活性光線又は放射線照射により酸を発生する化合物、及び(B)酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂を含有し、(A)成分が特定構造のオニウムフッ素化アルキルフルオロリン酸塩を含有する。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
膜厚10〜150μmの厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物からなる層の両面に保護膜が形成された厚膜用化学増幅型ドライフィルムであって、 前記厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物は、 (A)活性光線又は放射線照射により酸を発生する化合物、及び(B)酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂を含有し、 前記(A)成分が、下記一般式(a1):
IPC (3件)：
G03F 7/039 ,  G03F 7/004 ,  H01L 21/027
FI (4件)：
G03F7/039 601 ,  G03F7/004 503A ,  G03F7/004 512 ,  H01L21/30 502R
Fターム (11件)：
2H025AA03 ,  2H025AB15 ,  2H025AC01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025CB29 ,  2H025EA08 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17
引用特許：
出願人引用 (4件)
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