特許
J-GLOBAL ID：200903066749792872

走査レーザSQUID顕微鏡を用いた検査方法および装置

発明者：
二川 清

二川 清 について


出願人/特許権者：
NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-073309
公開番号（公開出願番号）：特開2006-258479
出願日： 2005年03月15日
公開日（公表日）： 2006年09月28日
要約：
【課題】 故障箇所の絞込みを可能とする非破壊型の検査方法と装置の提供。【解決手段】 第1、第2の試料にそれぞれ照射するレーザ光を走査して得られた磁場分布の像を取得し(第1ステップ)、磁場分布の像に差がある場合に、第1、第2の試料の所定の箇所にレーザ光を照射した状態で磁場センサにて第1、第2の試料を走査することで取得された磁場分布からそれぞれ電流像を取得し(第2ステップ)、電流像間の差をとり、差像より、第1の試料と前記第2の試料の前記所定の箇所に関連する電流経路の差異を識別可能としている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
(A)試料の予め定められた所定の箇所にレーザ光を照射しながら磁場検出器にて前記試料を走査することで磁場分布を取得し前記磁場分布から電流像を得る処理を、第1及び第2の試料についてそれぞれ行い、 (B)前記第1及び第2の試料のそれぞれについて得られた前記電流像の差をとり、 前記電流像の差像より、前記第1及び第2の試料について前記所定の箇所に関連する電流経路の差異を識別可能としてなる、ことを特徴とする検査方法。
IPC (2件)：
G01N 27/82 ,  H01L 21/66
FI (2件)：
G01N27/82 ,  H01L21/66 N
Fターム (22件)：
2G053AA11 ,  2G053AB01 ,  2G053BA00 ,  2G053BA02 ,  2G053BA15 ,  2G053BA29 ,  2G053BB05 ,  2G053BC00 ,  2G053CA02 ,  2G053CA10 ,  2G053CA18 ,  2G053CB16 ,  2G053CB17 ,  2G053CB21 ,  2G053CB29 ,  2G053DB19 ,  4M106AA01 ,  4M106BA05 ,  4M106CA17 ,  4M106CB19 ,  4M106DH11 ,  4M106DH32
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)
引用文献：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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