特許
J-GLOBAL ID：200903032998758500
半導体ウェーハの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-090603
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289562
出願日： 2001年03月27日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 半導体ウェーハを効率良く製造し、ウェーハの製造時間を短縮する半導体ウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】 面取り工程が終了したシリコンウェーハWを、ロボットハンドRにより、枚葉式の両面研磨装置に1枚ずつ移送する。ここでラッピング、エッチング、研磨の各処理を連続的に行う。結果、カセットケースで多数枚のシリコンウェーハWをまとめて次工程へ移送する従来法の欠点、すなわち面取り工程の終了後にシリコンウェーハWを乾燥したり、カセットケースが満杯になるまで処理済みウェーハWを一時保管する必要がない。よって、シリコンウェーハWを効率良く製造でき、シリコンウェーハWの製造時間が短縮する。
請求項（抜粋）：
スライスされた半導体ウェーハの外周部を研削する面取り工程、半導体ウェーハの表裏両面を平行化するラッピング工程、ラッピングされた半導体ウェーハをエッチングするエッチング工程、エッチングされた半導体ウェーハの表面を研磨する研磨工程、研磨された半導体ウェーハを洗浄する洗浄工程などの半導体ウェーハを順次処理する工程を備え、これらの工程の内の少なくとも2つの工程が連続して実行される半導体ウェーハの製造方法において、上記連続して実行される2つの工程のぞれぞれを、半導体ウェーハを1枚ずつ処理する枚葉式の工程で構成し、この枚葉式の工程間における半導体ウェーハの移送を、半導体ウェーハを1枚ずつ移送する枚葉移送とした半導体ウェーハの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 601
, B24B 37/04
H01L 21/304 601 Z
, B24B 37/04 Z
3C058AA07
, 3C058AB03
, 3C058CA01
, 3C058CB03
, 3C058DA18
