特許
J-GLOBAL ID：200903033007990287
固体撮像素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
角田 芳末
, 磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-162035
公開番号（公開出願番号）：特開2005-347325
出願日： 2004年05月31日
公開日（公表日）： 2005年12月15日
要約：
【課題】 画像信号に対するノイズを抑制することができ、かつ周辺回路形成領域において微細化を図ることができる構造の固体撮像素子を提供する。【解決手段】 画素形成領域4と周辺回路形成領域20とが同一の半導体基体に形成され、周辺回路形成領域20では、半導体基体10に絶縁層が埋め込まれた素子分離層21により第1の素子分離部が形成され、画素形成領域4では、半導体基体内10に形成された素子分離領域11と半導体基体10から上方に突出した素子分離層12とから成る第2の素子分離部が形成され、光電変換素子16(14,15)が第2の素子分離部の素子分離層12の下まで延在して形成されている固体撮像素子を構成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
光電変換素子から成る画素及び前記光電変換素子から信号電荷を読み出す選択トランジスタとを有して構成される画素形成領域と、周辺回路形成領域とが、同一の半導体基体に形成され、
前記周辺回路形成領域においては、前記半導体基体に絶縁層が埋め込まれて成る素子分離層により、第1の素子分離部が形成され、
前記画素形成領域においては、前記半導体基体内に形成された素子分離領域と、前記半導体基体から上方に突出した素子分離層とから成る第2の素子分離部が形成され、
前記光電変換素子が、前記第2の素子分離部の前記素子分離層の下まで延在して形成されている
ことを特徴とする固体撮像素子。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L27/14 A
, H04N5/335 E
, H04N5/335 U
4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA03
, 4M118CA04
, 4M118FA06
, 4M118FA25
, 4M118FA27
, 4M118FA28
, 5C024BX01
, 5C024CX32
, 5C024CY47
, 5C024GX03
, 5C024GX16
, 5C024GY31
出願人引用 (1件)
-
MOS型固体撮像装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2001-342290
出願人：株式会社東芝
審査官引用 (5件)
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