特許
J-GLOBAL ID：200903016007245989
MOS型撮像装置およびこれを組み込んだカメラ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-269111
公開番号（公開出願番号）：特開2004-111488
出願日： 2002年09月13日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：
【課題】リーク電流に起因する雑音の小さいMOS型撮像装置及びカメラを提供する。【解決手段】同一基板(11)上に、複数の画素が配列された撮像領域と、前記撮像領域を動作させるための駆動回路を含む周辺回路領域とを備え、前記撮像領域においては、前記画素がフォトダイオードと少なくとも1つのMOSトランジスタを含み、前記周辺回路領域においては前記駆動回路が複数のMOSトランジスタ(12)を含み、前記撮像領域および前記周辺回路領域において素子を電気的に分離する素子分離部(13)を、基板(11)上に形成された絶縁膜(18)、基板(11)を侵食する深さが1〜50nmである基板上に形成された電気的絶縁膜、及び基板(11)内に形成された不純物拡散領域(19)から選ばれる一つで構成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された複数の単位画素が配列された撮像領域と、
前記半導体基板上に形成された前記撮像領域を動作させるための駆動回路を含む周辺回路領域とを備え、
前記単位画素はフォトダイオードとMOS(metal-oxide-semiconductor)トランジスタと第1の素子分離部を備え、
前記周辺回路領域は前記駆動回路内の素子を分離する第2の素子分離部を備えたMOS型撮像装置であって、
前記第1の素子分離部および前記第2の素子分離部が、
A.前記基板を侵食しないように前記基板上に形成された電気的絶縁膜、
B.前記基板を侵食する深さが1nm以上50nm以下である前記基板上に形成された電気的絶縁膜、および、
C.前記基板内に形成された不純物拡散領域
から選ばれる少なくとも一つであることを特徴とするMOS型撮像装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L27/14 A
, H04N5/335 E
, H04N5/335 U
4M118AA04
, 4M118AA05
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA04
, 4M118CA09
, 4M118DD12
, 4M118FA06
, 4M118FA26
, 4M118FA27
, 4M118FA28
, 4M118FA34
, 4M118FA42
, 5C024CX03
, 5C024GX03
, 5C024GY31
