特許

J-GLOBAL ID：200903033066695361

研磨液及び研磨方法

発明者： 上村 哲也
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (4件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-143468
公開番号（公開出願番号）：特開2009-290126
出願日： 2008年05月30日
公開日（公表日）： 2009年12月10日
要約：

【課題】ポリシリコン又は変性ポリシリコンを含む層を有する被研磨体に対する化学的機械的研磨に用いることができ、ポリシリコン又は変性ポリシリコン以外のケイ素系材料を含む層の研磨速度が迅速であり、且つ、ポリシリコン又は変性ポリシリコンを含む層の研磨を選択的に抑制しうる研磨液を提供する。【解決手段】半導体集積回路を作製する際の平坦化工程において、ポリシリコン又は変性ポリシリコンを含む第1層と、酸化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、炭窒化ケイ素、酸化炭化ケイ素、及び酸窒化ケイ素からなる群より選択される少なくとも1種を含む第2層と、を少なくとも有して構成される被研磨体の化学的機械的研磨に用いられ、下記(1)コロイダルシリカ粒子、(2)有機酸及び(3)アニオン性界面活性剤を含有し、pHが1.5〜7.0であり、且つ、前記第1層に対して前記第2層を選択的に研磨しうる研磨液。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

半導体集積回路を作製する際の平坦化工程において、ポリシリコン又は変性ポリシリコンを含む第1層と、酸化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、炭窒化ケイ素、酸化炭化ケイ素、及び酸窒化ケイ素からなる群より選択される少なくとも1種を含む第2層と、を少なくとも有して構成される被研磨体の化学的機械的研磨に用いられ、下記(1)、(2)及び(3)で示される各成分を含有し、pHが1.5〜7.0であり、且つ、前記第1層に対して前記第2層を選択的に研磨しうることを特徴とする研磨液。 (1)コロイダルシリカ粒子 (2)有機酸 (3)アニオン性界面活性剤

IPC (3件)：

H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14

FI (5件)：

H01L21/304 622D ,  H01L21/304 622X ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550D ,  C09K3/14 550Z

Fターム (5件)：

3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058CB01 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-165816   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-170208   出願人：松下電器産業株式会社, インターウニベルシテールマイクロエレクトロニカツェントラムフェーゼットウェー
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-192652   出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
• 半導体装置の製造方法および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-326584   出願人：株式会社半導体先端テクノロジーズ

審査官引用 (1件)

• 研磨用組成物及び研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-296935   出願人：株式会社フジミインコーポレーテッド