液晶表示装置製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-068668
公開番号（公開出願番号）：特開平11-266020
出願日： 1998年03月18日
公開日（公表日）： 1999年09月28日
要約：

【要約】【課題】従来の液晶表示装置の製造方法では、熱処理に伴う収縮が原因となり絶縁ガラス基板が変形して、基板中央部と周辺部とでは形成パターンのずれが発生し、且つ基板が反って平坦性を失い、アレイ基板の作製が困難になっていた。【解決手段】本発明は、絶縁ガラス基板上に薄膜トランジスタを形成し、層間絶縁膜を積層する前に、400〜500°Cの熱処理を行い、引き続き、-6〜-10°C/分の冷却処理を行うことで、ガラス基板の収縮と反りを抑制する液晶表示装置の製造方法である。

請求項（抜粋）：

絶縁ガラス基板上に、多結晶シリコンを活性層に使用したスイッチング素子として用いられる薄膜トランジスタの形成を含む画素電極の形成工程を具備する液晶表示装置の製造方法において、前記薄膜トランジスタ上に層間絶縁膜を積層する工程の前に、少なくとも1回の400〜500°Cの熱処理工程を行い、この熱処理工程に引き続き、-6〜-10°C/分の冷却速度の冷却工程を行うことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/136 500

FI (5件)：

H01L 29/78 627 G , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 616 S , H01L 29/78 616 K , H01L 29/78 627 Z

引用特許：

審査官引用 (6件)

液晶表示装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-230152 出願人：株式会社東芝
半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-197514 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-293484 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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