特許
J-GLOBAL ID：200903069685287680
炭化ケイ素質ダミーウェハ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梶 良之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-146809
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340108
出願日： 1998年05月28日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：
【要約】【課題】 高純度で、耐薬品性に優れたパーティクルの発生の少ない炭化ケイ素質ダミーウェハを提供する。【解決手段】 黒鉛基材を100%炭化ケイ素に転化し、多孔質炭化ケイ素の段階で所定の表面粗さに加工し、ハロゲンガスにより高純度処理を行う。その後、その表面をCVD炭化ケイ素で被覆し、平均表面粗さRaを1μm以上に調整する。
請求項（抜粋）：
少なくとも表面が炭化ケイ素により形成されてなるダミーウェハであって、表面粗さRaが1μm以上であることを特徴とする炭化ケイ素質ダミーウェハ。
引用特許：
出願人引用 (8件)
-
ダミーウエハ及びその製造法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-299416
出願人：旭硝子株式会社
-
炭化ケイ素質ダミーウェハ
公報種別：公開公報
出願番号：特願平9-062614
出願人：東洋炭素株式会社
-
ウェハ
公報種別：公開公報
出願番号：特願平9-231469
出願人：株式会社ブリヂストン
全件表示
審査官引用 (8件)
全件表示
前のページに戻る
