特許
J-GLOBAL ID：200903089698336559

光電変換素子、固定撮像デバイス、撮像装置、画像読み取り装置、および光電変換素子の製造方法

発明者：
篠宮 巧治

篠宮 巧治 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (3件)： 吉田 茂明 ,  吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-263591
公開番号（公開出願番号）：特開2007-080926
出願日： 2005年09月12日
公開日（公表日）： 2007年03月29日
要約：
【課題】 本発明は、波長(色)分離精度の良く、また望ましくは暗電流の発生を抑制することができる、光電変換素子等を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明に係わる光電変換素子は、半導体基板1、フォトダイオード部2、凹レンズ3、凸レンズ4を備えている。フォトダイオード部2は、半導体基板1内に形成されている。また、フォトダイオード部2は、p型の半導体領域2a,2c,2eとn型の半導体領域2b,2dとが、交互に順次積層することにより構成されている、複数のフォトダイオードから成る。また、凸レンズ4は、フォトダイオード部2に入射光を集光させるレンズである。また、凹レンズ3は、フォトダイオード部2と凸レンズ4との間の光路上に、配設されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板と、 前記半導体基板内において、第一の導電型の第一の半導体領域と第二の導電型の第二の半導体領域とが、交互に順次積層することにより構成されている、複数のフォトダイオードから成るフォトダイオード部と、 前記フォトダイオード部に入射光を集光させる凸レンズと、 前記フォトダイオード部と前記凸レンズとの間の光路上に、配設される凹レンズとを、備えている、 ことを特徴とする光電変換素子。
IPC (3件)：
H01L 31/10 ,  H01L 27/146 ,  H01L 27/14
FI (3件)：
H01L31/10 A ,  H01L27/14 A ,  H01L27/14 D
Fターム (29件)：
4M118AA05 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA06 ,  4M118CA03 ,  4M118CA33 ,  4M118CA34 ,  4M118CA40 ,  4M118CB13 ,  4M118CB14 ,  4M118EA01 ,  4M118FA26 ,  4M118FC01 ,  4M118GB02 ,  4M118GB11 ,  4M118GB13 ,  4M118GC11 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  4M118GD08 ,  5F049MA02 ,  5F049NA05 ,  5F049NA17 ,  5F049NB05 ,  5F049QA07 ,  5F049SE17 ,  5F049SZ13 ,  5F049TA12 ,  5F049TA13
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (7件)
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