特許
J-GLOBAL ID：200903074268004997
固体撮像装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野田 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-156692
公開番号（公開出願番号）：特開2005-340475
出願日： 2004年05月26日
公開日（公表日）： 2005年12月08日
要約：
【課題】 イメージセンサの製造工程において、サリサイドプロセスと非サリサイドプロセスの作り分けを可能とし、光電変換素子の感度向上を図る。【解決手段】 シリコン基板1のフォトダイオード上に設ける絶縁膜として、SiO2 膜M1とSiO2 膜M2と低圧CVD-SiN膜M3とプラズマCVD-SiN膜M4の4層構造の絶縁膜、または、SiO2 膜とプラズマCVD-SiN膜の2層構造よりなる絶縁膜を用いる。また、MOSトランジスタのゲート部のサイドウォールには、絶縁膜が4層構造の場合には、絶縁膜の一部を兼用した3層構造の絶縁膜M2、M3、9による低反射膜を実現し、トランジスタ特性の向上とフォトダイオードの感度向上とを両立する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
シリサイド形成領域とシリサイド非形成領域の両方を有する半導体基板に、受光量に応じた信号電荷を生成する複数の光電変換素子を含む撮像部を形成するとともに、前記光電変換素子上に少なくともSiO膜とプラズマCVD-SiN膜を含む積層構造を有する絶縁膜を設けた、
ことを特徴とする固体撮像装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/14 A
, H01L27/14 D
4M118AA01
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA04
, 4M118CA05
, 4M118CA34
, 4M118CB13
, 4M118EA06
, 4M118EA07
, 4M118FA06
, 4M118FA26
, 4M118FA28
, 4M118FA33
, 4M118GC07
, 4M118GD04
出願人引用 (2件)
審査官引用 (14件)
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